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HN7G09FE(TE85L,F)

厂家：
  Toshiba
封装：
 ES-6
数量：
 9185  
说明：
 两极晶体管 - BJT Vceo=50V Vds=30V Ic=100mA Id=100mA
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HN7G09FE(TE85L,F) PDF参数资料

中文参数如下：

工厂包装数量：4000
包装形式：Reel
最大功率耗散：100 mW
集电极连续电流：100 mA
封装形式：ES-6
安装风格：SMD/SMT
直流集电极/Base Gain hfe Min：80
增益带宽产品fT：250 MHz
发射极 - 基极电压 VEBO：10 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：50 V
集电极—基极电压 VCBO：50 V
晶体管极性：NPN
配置：Dual
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：Toshiba

以上是HN7G09FE(TE85L,F)的详细信息，包括HN7G09FE(TE85L,F)厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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