HN7G01FU-A(T5L,F,T

厂家：: Toshiba
封装：
数量：: 7962
说明：: 两极晶体管 - BJT Vceo=-12V Vds=20V Ic=-400mA Id=50mA

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HN7G01FU-A(T5L,F,T PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：3000
最大功率耗散：200 mW
直流电流增益 hFE 最大值：1000
集电极连续电流：- 400 mA
安装风格：SMD/SMT
直流集电极/Base Gain hfe Min：300
发射极 - 基极电压 VEBO：- 5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：- 12 V
集电极—基极电压 VCBO：- 15 V
晶体管极性：PNP
配置：Dual
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：Toshiba

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