HGT1S7N60C3DS

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 D2PAK(TO-263)
数量:
 1368  
说明:
 IGBT 晶体管 7A 600V TF=275NS
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
HGT1S7N60C3DS-D2PAK(TO-263)图片

HGT1S7N60C3DS PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下:

工厂包装数量:50
安装风格:SMD/SMT
最小工作温度:- 40 C
集电极最大连续电流 Ic:14 A
包装形式:Tube
封装形式:TO-263AB-3
最大工作温度:+ 150 C
功率耗散:60 W
栅极—射极漏泄电流:+/- 250 nA
在25 C的连续集电极电流:14 A
栅极/发射极最大电压:+/- 20 V
集电极—射极饱和电压:1.6 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V
配置:Single
RoHS:是
产品种类:IGBT 晶体管
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是HGT1S7N60C3DS的详细信息,包括HGT1S7N60C3DS厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC