HGT4E20N60A4DS

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 TO-247-3
数量:
 2754  
说明:
 IGBT 晶体管 TO-268
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
暂无电子元件图

HGT4E20N60A4DS PDF参数资料

中文参数如下:

安装风格:Through Hole
最小工作温度:- 55 C
集电极最大连续电流 Ic:70 A
封装形式:TO-247-3
最大工作温度:+ 150 C
栅极/发射极最大电压:+/- 20 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V
配置:Single
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是HGT4E20N60A4DS的详细信息,包括HGT4E20N60A4DS厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC