HGT4E20N60A4DS

中文参数如下：

安装风格：Through Hole
最小工作温度：- 55 C
集电极最大连续电流 Ic：70 A
封装形式：TO-247-3
最大工作温度：+ 150 C
栅极/发射极最大电压：+/- 20 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V
配置：Single
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是HGT4E20N60A4DS的详细信息，包括HGT4E20N60A4DS厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   两极晶体管 - BJT    JFET   开关晶体管 - 偏压电阻器   IGBT 模块  

IGBT 晶体管最新产品：

STGFW30V60F

IXGA30N60C3D4

IHW40N120R3FKSA1

IGW30N100TFKSA1

APT50GP60LDLG

APT50GS60BRDLG

APT30GS60BRDLG

APT30GP60B2DLG

APT15GP60BDLG

APT30GP60LDLG