点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
工厂包装数量：2500
安装风格：SMD/SMT
最小工作温度：- 55 C
集电极最大连续电流 Ic：5.3 A
包装形式：Reel
封装形式：TO-252AA-3
最大工作温度：+ 150 C
功率耗散：60 W
栅极—射极漏泄电流：+/- 250 nA
在25 C的连续集电极电流：5.3 A
栅极/发射极最大电压：+/- 20 V
集电极—射极饱和电压：2.5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V
配置：Single
RoHS：是
产品种类：IGBT 晶体管
制造商：Fairchild Semiconductor
以上是HGTD1N120BNS9A的详细信息，包括HGTD1N120BNS9A厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!
