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HGT1S7N60B3DS9A

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 TO-263AB-3
数量：
 3960  
说明：
 IGBT 晶体管 14A 600V UFS N-Ch
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HGT1S7N60B3DS9A-TO-263AB-3图片

HGT1S7N60B3DS9A PDF参数资料

中文参数如下：

安装风格：SMD/SMT
最小工作温度：- 55 C
集电极最大连续电流 Ic：14 A
包装形式：Reel
封装形式：TO-263AB-3
最大工作温度：+ 150 C
栅极/发射极最大电压：+/- 20 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V
配置：Single
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是HGT1S7N60B3DS9A的详细信息，包括HGT1S7N60B3DS9A厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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