HGT1S7N60B3DS9A

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 TO-263AB-3
数量:
 3960  
说明:
 IGBT 晶体管 14A 600V UFS N-Ch
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HGT1S7N60B3DS9A-TO-263AB-3图片

HGT1S7N60B3DS9A PDF参数资料

中文参数如下:

安装风格:SMD/SMT
最小工作温度:- 55 C
集电极最大连续电流 Ic:14 A
包装形式:Reel
封装形式:TO-263AB-3
最大工作温度:+ 150 C
栅极/发射极最大电压:+/- 20 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V
配置:Single
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是HGT1S7N60B3DS9A的详细信息,包括HGT1S7N60B3DS9A厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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