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HGT1S20N35G3VLS

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: D2PAK（TO-263）
数量：: 1305
说明：: IGBT 晶体管 Coil Dr 20A 350V

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HGT1S20N35G3VLS PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：HGT1S20N35G3VLS_NL
工厂包装数量：50
安装风格：SMD/SMT
最小工作温度：- 40 C
集电极最大连续电流 Ic：20 A
包装形式：Tube
封装形式：TO-263AB-3
最大工作温度：+ 150 C
功率耗散：150 W
栅极—射极漏泄电流：+/- 250 nA
在25 C的连续集电极电流：20 A
栅极/发射极最大电压：+/- 10 V
集电极—射极饱和电压：1.3 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：375 V
配置：Single
RoHS：是
产品种类：IGBT 晶体管
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是HGT1S20N35G3VLS的详细信息，包括HGT1S20N35G3VLS厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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