首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > IGBT 晶体管 > HGT1S3N60A4DS

HGT1S3N60A4DS

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 TO-263AB-3
数量：
 2349  
说明：
 IGBT 晶体管 TO-263
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
HGT1S3N60A4DS-TO-263AB-3图片

HGT1S3N60A4DS PDF参数资料

中文参数如下：

安装风格：SMD/SMT
最小工作温度：- 55 C
集电极最大连续电流 Ic：17 A
封装形式：TO-263AB-3
最大工作温度：+ 150 C
在25 C的连续集电极电流：17 A
栅极/发射极最大电压：+/- 20 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V
配置：Single
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是HGT1S3N60A4DS的详细信息，包括HGT1S3N60A4DS厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   两极晶体管 - BJT    JFET   开关晶体管 - 偏压电阻器   IGBT 模块  

IGBT 晶体管最新产品：

  • IRGP4266D-EPBF
  • FGH30T65UPDT-F155
  • FGA30N65SMD
  • MGD623S
  • MGD623N
  • FGM623S
  • FGM603
  • STGW40H65FB
  • STGW30V60F
  • STGWT20H60DF

    • 相近型号推荐

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC