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中文参数如下：
零件号别名：HGT1S2N120CN_NL
工厂包装数量：50
安装风格：Through Hole
最小工作温度：- 55 C
集电极最大连续电流 Ic：13 A
包装形式：Tube
封装形式：TO-262-3
最大工作温度：+ 150 C
功率耗散：104 W
栅极—射极漏泄电流：+/- 250 nA
在25 C的连续集电极电流：13 A
栅极/发射极最大电压：+/- 20 V
集电极—射极饱和电压：2.05 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V
配置：Single
RoHS：是
产品种类：IGBT 晶体管
制造商：Fairchild Semiconductor
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