首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > IGBT 晶体管 > HGT1S14N36G3VLT

HGT1S14N36G3VLT

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: I2PAK（TO-262）
数量：: 1296
说明：: IGBT 晶体管 14a 380V Logic Level

一、本商品被浏览0次.

HGT1S14N36G3VLT PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

零件号别名：HGT1S14N36G3VLT_NL
工厂包装数量：800
安装风格：Through Hole
最小工作温度：- 40 C
集电极最大连续电流 Ic：18 A
包装形式：Reel
封装形式：TO-262AA-3
最大工作温度：+ 150 C
功率耗散：100 W
栅极—射极漏泄电流：100 A
在25 C的连续集电极电流：18 A
栅极/发射极最大电压：+/- 10 V
集电极—射极饱和电压：20 A
集电极—发射极最大电压 VCEO：24 V
配置：Single
RoHS：是
产品种类：IGBT 晶体管
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是HGT1S14N36G3VLT的详细信息，包括HGT1S14N36G3VLT厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET 开关晶体管 - 偏压电阻器 IGBT 模块

IGBT 晶体管最新产品：