HGT1S14N37G3VLS

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 TO-263AB-3
数量:
 2709  
说明:
 IGBT 晶体管 14A 370V
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HGT1S14N37G3VLS-TO-263AB-3图片

HGT1S14N37G3VLS PDF参数资料

中文参数如下:

工厂包装数量:50
安装风格:SMD/SMT
最小工作温度:- 55 C
集电极最大连续电流 Ic:25 A
包装形式:Tube
封装形式:TO-263AB-3
最大工作温度:+ 150 C
功率耗散:136 W
栅极—射极漏泄电流:40 uA
在25 C的连续集电极电流:25 A
栅极/发射极最大电压:+/- 10 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:380 V
配置:Single
RoHS:是
产品种类:IGBT 晶体管
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是HGT1S14N37G3VLS的详细信息,包括HGT1S14N37G3VLS厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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