HAT2173H-EL-E

厂家:
  Renesas Electronics America Inc
封装:
 LFPAK
数量:
 8019  
说明:
 
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HAT2173H-EL-E PDF参数资料

中文参数如下:
:150°C(TJ)
功率耗散(最大值):30W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):4350 pF @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):61 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):6V @ 20mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):15 毫欧 @ 12.5A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):8V,10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A(Ta)
漏源电压(Vdss):100 V
技术:MOSFET(金属氧化物)
FET 类型:N 通道
产品状态:在售
包装:-
系列:卷带(TR),剪切带(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌:Renesas Electronics America Inc

以上是HAT2173H-EL-E的详细信息,包括HAT2173H-EL-E厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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