HAT2175H-EL-E

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中文参数如下：
FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C42 毫欧 @ 7.5A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)100V
Id 时的 Vgs(th)（最大）-
闸电荷(Qg) @ Vgs21nC @ 10V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C15A
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 1445pF @ 10V
功率 - 最大15W
安装类型表面贴装

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