点击下载PDF参数资料
中文参数如下:
FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点逻辑电平门
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8.2 毫欧 @ 15A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)30V
Id 时的 Vgs(th)(最大)-
闸电荷(Qg) @ Vgs26nC @ 10V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C30A
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 1650pF @ 10V
功率 - 最大15W
安装类型表面贴装
以上是HAT2116H-EL-E的详细信息,包括HAT2116H-EL-E厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!