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HAT2131R-EL-E

厂家：: Renesas Electronics America Inc
封装：: 8-SOP
数量：: 6093
说明：

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HAT2131R-EL-E PDF参数资料

中文参数如下：
：150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：2.5W（Ta）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：460 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：20 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：3 欧姆 @ 450mA，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4V，10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：900mA（Ta）
漏源电压（Vdss）：350 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：在售
包装：-
系列：卷带（TR）
品牌：Renesas Electronics America Inc

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