点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C3.7 毫欧 @ 25A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)30V
Id 时的 Vgs(th)（最大）-
闸电荷(Qg) @ Vgs75nC @ 10V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C50A
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 4750pF @ 10V
功率 - 最大30W
安装类型表面贴装
以上是HAT2099H-EL-E的详细信息，包括HAT2099H-EL-E厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!
