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中文参数如下：
封装封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3
安装类型：通孔
工作温度：175°C（TJ）
反向恢复时间 (trr)：600 ns
测试条件：280V，40A，10 欧姆，20V
25°C 时 Td（开/关）值：-
栅极电荷：-
输入类型：标准
开关能量：-，290μJ（关）
功率 - 最大值：230 W
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V，40A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：80 A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：40 A
电压 - 集射极击穿（最大值）：1200 V
IGBT 类型：-
产品状态：在售
包装：-
系列：管件
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage
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