中文参数如下:
安装风格:Through Hole
最小工作温度:- 40 C
封装形式:TO-247AB
最大工作温度:+ 150 C
栅极—射极漏泄电流:500 nA
在25 C的连续集电极电流:35 A
集电极—射极饱和电压:3 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V
配置:Single
产品:IGBT Silicon Carbide Modules
制造商:GeneSiC Semiconductor
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