GA03JT12-247

厂家:
  GeneSiC Semiconductor
封装:
 TO-247-3
数量:
 4041  
说明:
 JFET SiC Super Junc Trans 1200V-Rds 550mO-3A
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GA03JT12-247 PDF参数资料

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中文参数如下:

电阻汲极/源极 RDS(导通):460 mOhms
功率耗散:5 W
最大工作温度:+ 175 C
包装形式:Tube
封装形式:TO-247AB
安装风格:Through Hole
配置:Single
漏极连续电流:3 A
漏源电压 VDS:1200 V
漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):105 nA
RoHS:是
制造商:GeneSiC Semiconductor

以上是GA03JT12-247的详细信息,包括GA03JT12-247厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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