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GA06JT12-247

厂家：
  GeneSiC Semiconductor
封装：
 TO-247-3
数量：
 4113  
说明：
 JFET SiC Super Junc Trans 1200V-Rds 230mO-6A
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GA06JT12-247-TO-247-3图片

GA06JT12-247 PDF参数资料

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中文参数如下：

电阻汲极/源极 RDS（导通）：220 mOhms
功率耗散：9 W
最大工作温度：+ 175 C
包装形式：Tube
封装形式：TO-247AB
安装风格：Through Hole
配置：Single
漏极连续电流：6 A
漏源电压 VDS：1200 V
漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）：300 nA
RoHS：是
制造商：GeneSiC Semiconductor

以上是GA06JT12-247的详细信息，包括GA06JT12-247厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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