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GA08JT17-247

厂家：
  GeneSiC Semiconductor
封装：
 TO-247AB
数量：
 4140  
说明：
 MOSFET SiC Supr Jnctn Trans 1700V-Rds 250mO- 8A
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GA08JT17-247 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：73 ns
上升时间：28 ns
功率耗散：91 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：50 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-247AB
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：500 mOhms
漏极连续电流：4 A
RoHS：是
制造商：GeneSiC Semiconductor

以上是GA08JT17-247的详细信息，包括GA08JT17-247厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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