GA08JT17-247

厂家:
  GeneSiC Semiconductor
封装:
 TO-247AB
数量:
 4140  
说明:
 MOSFET SiC Supr Jnctn Trans 1700V-Rds 250mO- 8A
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GA08JT17-247 PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:73 ns
上升时间:28 ns
功率耗散:91 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:50 ns
包装形式:Tube
封装形式:TO-247AB
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):500 mOhms
漏极连续电流:4 A
RoHS:是
制造商:GeneSiC Semiconductor

以上是GA08JT17-247的详细信息,包括GA08JT17-247厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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