首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > IGBT 模块 > FZ800R12KF4

FZ800R12KF4

厂家：: Infineon Technologies
封装：: IHM130
数量：: 486
说明：: IGBT 模块 1200V 800A SINGLE

一、本商品被浏览0次.

FZ800R12KF4 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

工厂包装数量：8
安装风格：SMD/SMT
最小工作温度：- 40 C
栅极/发射极最大电压：+/- 20 V
封装形式：IHM130
最大工作温度：+ 125 C
功率耗散：5.4 KW
栅极—射极漏泄电流：400 nA
在25 C的连续集电极电流：800 A
集电极—射极饱和电压：2.7 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V
配置：Dual Common Emitter Common Gate
产品：IGBT Silicon Modules
RoHS：否
产品种类：IGBT 模块
制造商：Infineon

以上是FZ800R12KF4的详细信息，包括FZ800R12KF4厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器