FZ800R17KF6C_B2

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 IHM
数量:
 540  
说明:
 IGBT 模块 N-CH 1.7KV 1.3KA
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FZ800R17KF6C_B2 PDF参数资料

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中文参数如下:

工厂包装数量:2
安装风格:Screw
最小工作温度:- 40 C
栅极/发射极最大电压:+/- 20 V
封装形式:IHM
最大工作温度:+ 125 C
功率耗散:6.6 KW
栅极—射极漏泄电流:400 nA
在25 C的连续集电极电流:1300 A
集电极—射极饱和电压:2.6 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:1700 V
配置:Dual Common Emitter Common Gate
产品:IGBT Silicon Modules
制造商:Infineon

以上是FZ800R17KF6C_B2的详细信息,包括FZ800R17KF6C_B2厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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