点击下载PDF参数资料
中文参数如下:
工厂包装数量:8
安装风格:SMD/SMT
最小工作温度:- 40 C
栅极/发射极最大电压:+/- 20 V
封装形式:IHM130
最大工作温度:+ 125 C
功率耗散:5 KW
栅极—射极漏泄电流:600 nA
在25 C的连续集电极电流:1300 A
集电极—射极饱和电压:2.1 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V
配置:Dual Common Emitter Common Gate
产品:IGBT Silicon Modules
RoHS:否
产品种类:IGBT 模块
制造商:Infineon
以上是FZ800R12KL4C的详细信息,包括FZ800R12KL4C厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!