首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > FQB55N06TM

FQB55N06TM

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 D2PAK（TO-263）
数量：
 6156  
说明：
 MOSFET 60V N-Channel QFET
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
FQB55N06TM-D2PAK（TO-263）图片

FQB55N06TM PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

典型关闭延迟时间：60 ns
工厂包装数量：750
上升时间：130 ns
功率耗散：3.75 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：30 S
下降时间：75 ns
包装形式：Reel
封装形式：D2PAK
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.02 Ohms
漏极连续电流：55 A
闸/源击穿电压：+/- 25 V
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FQB55N06TM的详细信息，包括FQB55N06TM厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   两极晶体管 - BJT    JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器  

MOSFET最新产品：

  • IXTY90N055T2-TRL
  • IPB100N06S2L05ATMA2
  • AOTF292L
  • AOWF20S60
  • AOW20S60
  • GT100N12D5
  • SQJ886EP-T1_BE3
  • DMT15H017LPS-13
  • BUK7M4R3-40HX
  • NVMYS8D0N04CTWG

    • 相近型号推荐

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC