FQB5N20LTM

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
数量:
 6201  
说明:
 MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level
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FQB5N20LTM-TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB图片

FQB5N20LTM PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:15 ns
工厂包装数量:800
上升时间:90 ns
功率耗散:3.13 W
最小工作温度:- 55 C
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :3.6 S
下降时间:50 ns
包装形式:Reel
封装形式:D2PAK
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.94 Ohms
漏极连续电流:4.5 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:200 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FQB5N20LTM的详细信息,包括FQB5N20LTM厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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