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FQB3N90TM

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: D2PAK（TO-263）
数量：: 5985
说明：: MOSFET 900V N-Channel QFET

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FQB3N90TM PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：40 ns
工厂包装数量：800
上升时间：45 ns
功率耗散：3.13 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：4.1 S
下降时间：35 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-263
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：3.3 Ohms
漏极连续电流：3.6 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：900 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

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