FQB45N03LTM

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 D2PAK
数量:
 1971  
说明:
 MOSFET TO-263
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FQB45N03LTM-D2PAK图片

FQB45N03LTM PDF参数资料

中文参数如下:

典型关闭延迟时间:7.5 ns
上升时间:130 ns
功率耗散:3.75 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:60 ns
包装形式:Reel
封装形式:D2PAK
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.018 Ohms
漏极连续电流:45 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FQB45N03LTM的详细信息,包括FQB45N03LTM厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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