FQB3N80TM

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
数量:
 5976  
说明:
 MOSFET 800V N-Channel QFET
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FQB3N80TM-TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB图片

FQB3N80TM PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:30 ns
工厂包装数量:800
上升时间:40 ns
功率耗散:3.13 W
最小工作温度:- 55 C
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :2.85 S
下降时间:30 ns
包装形式:Reel
封装形式:TO-263
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):5 Ohms
漏极连续电流:3 A
闸/源击穿电压:+/- 30 V
汲极/源极击穿电压:800 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FQB3N80TM的详细信息,包括FQB3N80TM厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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