FJP3307D

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-220
数量：: 8766
说明：: 两极晶体管 - BJT HI-VLTG FAST SWITCH NPN POWER TRANSISTOR

一、本商品被浏览0次.

FJP3307D PDF参数资料

中文参数如下：

零件号别名：FJP3307D_NL
工厂包装数量：200
包装形式：Bulk
最小工作温度：- 55 C
最大功率耗散：80000 mW
封装形式：TO-220
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：5
最大直流电集电极电流：8 A
发射极 - 基极电压 VEBO：9 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：400 V
集电极—基极电压 VCBO：700 V
晶体管极性：NPN
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FJP3307D的详细信息，包括FJP3307D厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管 JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器 IGBT 模块

两极晶体管 - BJT 最新产品：