FJP3835TU

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-220-3
数量：: 2718
说明：: 两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Silicon

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FJP3835TU PDF参数资料

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中文参数如下：
供应商器件：
封装封装/外壳：TO-220-3
安装类型：通孔
工作温度：150°C（TJ）
频率 - 跃迁：30MHz
功率 - 最大值：50 W
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：120 @ 3A，4V
电流 - 集电极截止（最大值）：100μA（ICBO）
不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 300mA，3A
电压 - 集射极击穿（最大值）：120 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：8 A
晶体管类型：NPN
产品状态：停产
包装：-
系列：管件
品牌：onsemi

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