FJP3307DH2

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-220
数量：: 8793
说明：: 两极晶体管 - BJT HI-VLTG FAST SWITCH NPN POWER TRANSISTOR

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FJP3307DH2 PDF参数资料

中文参数如下：

零件号别名：FJP3307DH2_NL
工厂包装数量：200
包装形式：Bulk
最小工作温度：- 55 C
最大功率耗散：80000 mW
封装形式：TO-220
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：26
最大直流电集电极电流：8 A
发射极 - 基极电压 VEBO：9 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：400 V
集电极—基极电压 VCBO：700 V
晶体管极性：NPN
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：Fairchild Semiconductor

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