FDZ299P_Q

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: BGA-9
数量：: 8280
说明：: MOSFET 20V/12V PCh MOSFET

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FDZ299P_Q PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：23 ns
上升时间：9 ns
功率耗散：1.7 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：9 ns
包装形式：Reel
封装形式：BGA-9
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Triple Drain Quint Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.055 Ohms
漏极连续电流：- 4.6 A
闸/源击穿电压：+/- 12 V
汲极/源极击穿电压：- 20 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

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