FDZ3N513ZT

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: 4-UFBGA，WLCSP
数量：: 8622
说明：: MOSFET 30V Integrated NMOS and Shottky Diode

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FDZ3N513ZT PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：3000
功率耗散：1 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：1 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：0.5 S
包装形式：Reel
封装形式：WLCSP
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 125 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：462 mOhms
漏极连续电流：1.1 A
闸/源击穿电压：5.5 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Fairchild Semiconductor

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