FDZ209N_Q

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: BGA
数量：: 8208
说明：: MOSFET 60V/20V N-Ch MOSFET

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FDZ209N_Q PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：15 ns
上升时间：4 ns
功率耗散：2 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：12 S
下降时间：8 ns
包装形式：Reel
封装形式：BGA
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Hex Drain Quint Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.08 Ohms
漏极连续电流：4 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

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