FDZ2551N

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: BGA
数量：: 8217
说明：: MOSFET USE 512-FDZ2553N Common Drain

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FDZ2551N PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：26 ns
工厂包装数量：3000
上升时间：11 ns
功率耗散：2.1 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：8 ns
包装形式：Reel
封装形式：BGA
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual Common Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.018 Ohms
漏极连续电流：9 A
闸/源击穿电压：+/- 12 V
汲极/源极击穿电压：20 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

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