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FDU6680A_Q

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 TO-251
数量：
 7839  
说明：
 MOSFET 30V N-Ch PowerTrench
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FDU6680A_Q-TO-251图片

FDU6680A_Q PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：31 ns
上升时间：9 ns
功率耗散：2.8 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：56 S
下降时间：13 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-251
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0095 Ohms
漏极连续电流：56 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDU6680A_Q的详细信息，包括FDU6680A_Q厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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