FDU6N50TU

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
数量：: 675
说明：: MOSFET 500V N-Channel MOSFET

一、本商品被浏览0次.

FDU6N50TU PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

典型关闭延迟时间：25 ns
工厂包装数量：70
上升时间：55 ns
功率耗散：89 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：35 ns
包装形式：Tube
封装形式：IPAK
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.9 Ohms
漏极连续电流：6 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：500 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDU6N50TU的详细信息，包括FDU6N50TU厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他电源管理 IC产品：

软开关 PWM 控制器低压差控制器 - LDO 反馈回路功率控制器功率因数校正 IC 电压模式 PWM 控制器

开关变换器、稳压器与控制器最新产品：