FDU8770_F071

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: I-PAK
数量：: 720
说明：: MOSFET Trans MOS N-Ch 25V 35A 3-Pin 3+Tab

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FDU8770_F071 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：49 ns
工厂包装数量：75
上升时间：12 ns
功率耗散：115 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：25 ns
包装形式：Tube
封装形式：IPAK
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：4 m Ohms
漏极连续电流：35 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：25 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

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