FDP5690_Q

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 TO-220AB
数量:
 6714  
说明:
 MOSFET 60V N-Ch PowerTrench
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FDP5690_Q-TO-220AB图片

FDP5690_Q PDF参数资料

中文参数如下:

典型关闭延迟时间:24 ns
上升时间:9 ns
功率耗散:58 W
最小工作温度:- 65 C
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :32 S
下降时间:10 ns
包装形式:Tube
封装形式:TO-220AB
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.027 Ohms
漏极连续电流:32 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:60 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor

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