中文参数如下:
典型关闭延迟时间:29 ns
工厂包装数量:50
上升时间:150 ns
功率耗散:75 W
最小工作温度:- 65 C
下降时间:17 ns
包装形式:Tube
封装形式:TO-220
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.011 Ohms
漏极连续电流:58 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:否
产品种类:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor
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