FDP100N10

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 TO-220-3
数量:
 4795  
说明:
 MOSFET 100V N-Channel PowerTrench
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FDP100N10 PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:125 ns
工厂包装数量:400
上升时间:265 ns
功率耗散:208 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:115 ns
包装形式:Tube
封装形式:TO-220AB
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.01 Ohms
漏极连续电流:75 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:100 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FDP100N10的详细信息,包括FDP100N10厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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