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FDP12N50NZ

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 TO-220-3
数量：
 2951  
说明：
 MOSFET 500V N-Chan MOSFET UniFET-II
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FDP12N50NZ PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：50
上升时间：50 ns
功率耗散：170 W
栅极电荷 Qg：23 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：12 S
下降时间：45 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-220
安装风格：Through Hole
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.46 Ohms
漏极连续电流：11.5 A
闸/源击穿电压：25 V
汲极/源极击穿电压：500 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDP12N50NZ的详细信息，包括FDP12N50NZ厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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