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FDP10N60NZ

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 TO-220-3
数量：
 2115  
说明：
 MOSFET 600N-Channel MOSFET UniFET-II
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FDP10N60NZ PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：70 nS
工厂包装数量：50
上升时间：50 ns
功率耗散：185 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：23 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：14 S
下降时间：50 nS
包装形式：Tube
封装形式：TO-220-3
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.64 Ohms at 10 V
漏极连续电流：10 A
闸/源击穿电压：+/- 25 V
汲极/源极击穿电压：600 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDP10N60NZ的详细信息，包括FDP10N60NZ厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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