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中文参数如下:
典型关闭延迟时间:19 nS, 24 nS
工厂包装数量:3000
上升时间:1.7 nS, 3 nS
功率耗散:2.3 W, 1 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:19 nC, 31 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :63 S, 84 S
下降时间:1.4 nS, 2.2 nS
包装形式:Reel
封装形式:DPQFN-8
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Dual Asymmetric Triple Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS(导通):6.6 mOhms at 10 V, 3.5 mOhms at 10 V
漏极连续电流:16 A, 18 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:25 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Fairchild Semiconductor
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