FDMS3660S

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: Power56
数量：: 9767
说明：: MOSFET PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET

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FDMS3660S PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：3000
功率耗散：2.2 W, 2.5 W
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：Power 56
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：8 mOhms at 10 V, 1.8 mOhms at 10 V
漏极连续电流：13 A, 30 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V, +/- 12 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Fairchild Semiconductor

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