点击下载PDF参数资料
中文参数如下:
功率耗散:1.4 W
栅极电荷 Qg:2 nC
包装形式:Reel
封装形式:MLP-8
安装风格:SMD/SMT
配置:Dual
电阻汲极/源极 RDS(导通):76 mOhms
漏极连续电流:3.2 A
汲极/源极击穿电压:20 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor
以上是FDMJ1028N的详细信息,包括FDMJ1028N厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!