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中文参数如下:
典型关闭延迟时间:11 nS, 13 nS
工厂包装数量:3000
上升时间:8 nS, 13 nS
功率耗散:1.4 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:2 nC, 3 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :7.5 S, 5 S
下降时间:8 nS, 18 nS
包装形式:Reel
封装形式:SC-75 MicroFET-6
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Dual
电阻汲极/源极 RDS(导通):90 mOhms at 4.5 V, 160 mOhms at - 4.5 V
漏极连续电流:+ 3.2 A, - 2.5 A
闸/源击穿电压:+/- 12 V, +/- 8 V
汲极/源极击穿电压:+/- 20 V
晶体管极性:N and P-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor
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