FDI040N06

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: I2PAK（TO-262）
数量：: 513
说明：: MOSFET PT3 Low Qg 60V, 4.0Mohm

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FDI040N06 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：55 ns
工厂包装数量：50
上升时间：40 ns
功率耗散：231 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：169 S
下降时间：24 ns
包装形式：Tube
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：3.2 m Ohms at 10 V
漏极连续电流：168 A
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

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