FDI025N06

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: I2PAK（TO-262）
数量：: 486
说明：: MOSFET 60V N-Channel PowerTrench

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FDI025N06 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：348 ns
工厂包装数量：50
上升时间：324 ns
功率耗散：395 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：250 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-262
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0025 Ohms
漏极连续电流：265 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

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